25 ноября в Российской академии наук очно и в формате видеоконференции прошел Научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Развитие методов диагностики материалов и элементной базы».

Заседание провел председатель Научного совета, академик-секретарь Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, академик РАН Г.Я. Красников.
На заседании были представлены 60 организаций, включая их подразделения: АО «НИИМЭ», ИГХ СО РАН, НИТУ «МИСиС», ИПТМ РАН, ИПМаш РАН, (ИСВЧПЭ РАН; НИЦ «Курчатовский институт» – НИИФП им. Ф.В. Лукина»; НИЦ «Курчатовский Институт» – ИТЭФ, РТУ МИРЭА, ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, ИФП СО РАН и другие.

В рамках Научного совета более 130 участников заслушали 13 докладов:

1.      д.ф.-м.н. Непомнящих Александр Иосифович (ИГХ СО РАН). Диагностика UMG мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.

 

2.      Онлайн д.ф.-м.н. Милёхин Александр Германович, академик РАН Латышев Александр Васильевич (ИФП СО РАН). Плазмон-усиленное ближнепольное комбинационное рассеяние света для локального спектрального анализа полупроводниковых наноструктур.

3.      д.ф.-м.н. Рощупкин Дмитрий Валентинович (ИПТМ РАН). Рентгеновские методы диагностики материалов и элементной компонентной базы микро- и наноэлектроники.

4.      д.ф.-м.н. Якимов Евгений Борисович (ИПТМ РАН). Характеризация полупроводниковых материалов Si, SiC, GaN, Ga2O3 методами РЭМ.

5.      к.ф.-м.н. Чуприк Анастасия Александровна (МФТИ). Методы атомно-силовой микроскопии для исследования электрофизических свойств материалов и структур микроэлектроники.

6.       Онлайн д.ф.-м.н. Осипов Андрей Викторович, д.ф.-м.н. Кукушкин Сергей Арсеньевич (ИПМаш РАН). Методы диагностики эпитаксиального карбида кремния на кремнии как нового материала для спинтроники.

7.      к.х.н. Карандашев Василий Константинович (ИПТМ РАН). Масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой в анализе чистых веществ и материалов.

8.      д.т.н. Мальцев Петр Павлович (ИСВЧПЭ РАН), Сарайкин Владимир Васильевич (ИСВЧПЭ РАН; НИЦ «Курчатовский институт» – НИИФП им. Ф.В. Лукина»; НИЦ «Курчатовский Институт» – ИТЭФ). Предложение по разработке масс-спектрометра нового типа с использованием синхротронного излучения.

9.      Онлайн профессор РАН, д.ф.-м.н. Терещенко Олег Евгеньевич (ИФП СО РАН). Фотоэмиссия с угловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ.

10.    Онлайн к.ф.-м.н. Кобелева Светлана Петровна (НИТУ «МИСиС»). Определение отклонения от стехиометрии в А2В6 по составу равновесной паровой фазы.

11.    д.ф.-м.н. Якушев Максим Витальевич, д.ф.-м.н. Швец Василий Александрович, к.ф.-м.н. Рыхлицкий Сергей Владимирович (ИФП СО РАН). In-situ эллипсометрический мониторинг процессов роста гетероструктур HgCdTe.

12.    к.ф.-м.н. Буряков Арсений Михайлович, д.ф.-м.н. Мишина Елена Дмитриевна, академик РАН Сигов Александр Сергеевич (РТУ МИРЭА). Фемтосекундная оптика для диагностики наноматериалов и наноструктур.

13.    д.х.н. Бычков Евгений Алексеевич (ИПЛИТ РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН). Нейтронная и синхротронная диагностика фазоизменяемых материалов нового поколения.

Г.Я.Красников предложил провести дополнительную сессию на тему ««Развитие методов диагностики материалов и элементной базы», так как не все доклады вошли в повестку.
Также прозвучало предложение члена-корреспондента РАН Е.С.Горнева рассмотреть возможность проведения заседания совета руководителей приоритетных технологических направлений.

В заключительном слове председатель Совета, академик РАН Г.Я.Красников поблагодарил авторов за высокий научный уровень докладов и выразил уверенность в интеграции усилий в части развития методов диагностики материалов и элементной базы между организациями, представленными членами Совета, приглашенными учеными и специалистами.