ИНН: 7813438763
ОГРН: 1097847057330
Электронная почта для партнёров по кооперации и заказчиков: ybelyaev@eprib.ru, Беляев Яков Валерьевич
Контактный телефон: +7 (812) 499-78-94
Сайт: www.elektropribor.spb.ru
Адрес: 197046, г. Санкт-Петербург, ул. Малая посадская, д. 30
ФИО и должность руководителя организации: Соколов Александр Вячеславович, генеральный директор АО «Концерн «ЦНИИ «Электроприбор»
ФИО и должность руководителя дизайн-центра: Беляев Яков Валерьевич, начальник НТЦ «Дизайн-Центр»
Основная продукция дизайн-центра:
- ИИМ. Бескарданный инерциальный модуль
- ММГ-ЭП1. Микромеханический гироскоп
- ММА-ЭП1. Микромеханический акселерометр
- Интегральная схема преобразователь емкость напряжение с цифровым выходом
- Интегральная схема для систем стабилизации температуры
Основные услуги дизайн-центра:
- Разработка аналоговых блоков интегральных схем
- Разработка цифровых блоков интегральных схем.
- Разработка заказных интегральных схем.
- Проведение испытаний интегральных схем и МЭМС на зондовой станции.
- Проведение испытаний изделий на различные типы внешних воздействующих факторов (механические, климатические гидравлические и др.).
- Разварка и корпусирование интегральных схем и МЭМС в едином корпусе.
- Разработка МЭМС и устройств на их основе.
- Кристальное производство МЭМС: а. Жидкостная химическая подготовка пластин Si для операций окисления, прямого и эвтектического сращивания пластин (бондинга). б. Термическое окисление пластин Si в среде сухого кислорода или в парах воды (методами барботажа или пирогенного осаждения). в. Нанесение диэлектрических пленок SiO2, SiNx, SiONx методами плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). г. Нанесение диэлектрических пленок SiNx методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении (LPCVD). д. Плазмохимическое травление (RIE) диэлектрических пленок и кремния. е. Глубокое реактивное травление Si с использованием фоторезистивной или SiO2-маски. ж. Жидкостное травление кремния, диэлектрических и металлических слоев. з. Плазменная активация поверхности Si и/или SiO2 для прямого сращивания пластин. и. Эвтектическое сращивание (бондинг) пластин по интерфейсу Si/Au. к. Герметизация и вакуумирование полостей. л. Контактная фотолитография по лицевой и обратной стороне пластины, возможность совмещения пластин для процессов их сращивания. м. Магнетронное напыление металлических и диэлектрических пленок. н. Электронно-лучевое напыление металлических пленок, включая особо чистые слои для образования геттера. о. Контроль геометрических и электрических параметров на пластине в ходе технологического процесса и готовых чипов.
Отзывы
Отзывов пока нет.