Центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» (Центр «ПТМ») Национального Исследовательского Томского государственного университета

ИНН: 7018012970

ОГРН: 1027000853978

Электронная почта для партнёров по кооперации и заказчиков: antontyazhev@mail.ru Тяжев Антон Владимирович, заведующий лабораторией детекторов ионизирующих излучений Центра «ПТМ» ТГУ

Контактный телефон: +79138528971 Тяжев Антон Владимирович, заведующий лабораторией детекторов ионизирующих излучений Центра «ПТМ» ТГУ

Сайт: rdc.tsu.ru

Адрес: ТГУ: 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36. Центр «ПТМ» ТГУ: 634045, г. Томск, ул. Ф. Лыткина, 28г.

ФИО и должность руководителя организации: Галажинский Эдуард Владимирович, ректор

ФИО и должность руководителя дизайн-центра: Толбанов Олег Петрович, директор Центра «ПТМ»

Основная продукция дизайн-центра:

• Многоэлементные (матричные и микрополосковые) сенсоры ионизирующего излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr) с шагом пикселов 25 – 250 мкм и толщиной чувствительного слоя до 1 мм.
• Пластины арсенида галлия, компенсированного хромом, с удельным сопротивлением до 1 Гом×см и диаметром 76, 100 мм.

Основные услуги дизайн-центра:

• Проектирование и изготовление матричных и микрополосковых сенсоров ионизирующего излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом (HR GaAs:Cr), микросборок сенсоров с чипами электроники.
• Формирование многослойных металлических и диэлектрических покрытий заданной топологии на керамических и полупроводниковых подложках.
• Формирование фоторезистивных масок методом контактной фотолитографии.
• Дисковая резка керамических и полупроводниковых подложек на кристаллы.
• Формирование электрических соединений методами ультразвуковой и термокомпрессионной микросварки.
• Изготовление индиевых столбиковых выводов (bump) на полупроводниковых и керамических подложках для последующего монтажа методом перевернутого кристалла (flip-chip bonding).
• Бесконтактное неразрушающее картирование распределения концентрации носителей заряда по площади полупроводниковых пластин с использованием ИК Фурье спектрометра.
• Бесконтактное неразрушающее картирование распределения удельного сопротивления по площади высокоомных полупроводниковых пластин.
• Бесконтактное неразрушающее картирование распределения фоточувствительности и времени жизни носителей заряда по площади высокоомных полупроводниковых пластин.
• Бесконтактное неразрушающее картирование распределения объемных и поверхностных дефектов в полупроводниковых пластинах и структурах диаметром до 150 мм.